CAS（Column Access Strobe）レイテンシRAMの概要

CASレイテンシとは

CAS（Column Access Strobe）レイテンシは、READコマンドとデータが利用可能になるまでの遅延時間を指します。CASレイテンシはCLとも呼ばれます。RAMのタイミングは、CL16-18-38やCL14-14-34のように一覧表示されます。CLの後ろの数字は、RAMキットのCASレイテンシを表します。

CASレイテンシRAMの測定非同期DRAMでは、間隔はナノ秒（絶対時間）で指定されます。一方、同期DRAMではクロックサイクルで間隔が指定されています。

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遅延は絶対時間ではなく多数のクロックサイクルと関連するため、同じモジュールを異なる用途で使用する場合、SDRAMモジュールがCASイベントに応答する正確な時間は変動する可能性があります。CASレイテンシRAMの意味については、以下のコンテンツから詳細を学びましょう。

CASレイテンシの意味

RAMモジュールのCAS（Column Address Strobe）レイテンシは、RAMが特定のデータセットにアクセスし、その列の1つでデータを使用可能にするまでに必要なクロックサイクル数です。

一般的は、CASが16のRAMキットは、このタスクを完了するのに16のRAMクロックサイクルを要します。つまり、CASレイテンシが低いほど、必要なRAM容量が少なくなるということです。CASレイテンシは複数の方法で記述可能です。具体的には、CASレイテンシが16のRAMキットはCAS 16またはCL16と表記されます。

さらに、2つの異なるRAMキットが同じデータ転送速度を持っている場合があります。例えば、Team Group Delta Tuf Gaming RGB DDR4-3200とG.Skill Trident Z Royal DDR4-3200は、両方ともDDR4-3200の転送レートを持っています。

RAMレイテンシとRAM速度

RAMのデータ転送レートは、RAMが1秒間に何メガ（1,000,000データ転送）転送できるかを示すものです。例えば、DDR4-3200RAMは、1秒あたり3200メガを転送できます。

RAMのCASレイテンシについてはどうでしょうか？これはRAMのパフォーマンスを学ぶのに役立つものです。前述の通り、CASレイテンシRAMはRAMがデータを送信するのに必要なクロックサイクルの数を示します。同時に、各サイクルの持続時間を考慮して、RAMの総遅延時間を把握する必要があります。

RAMレイテンシとRAM速度はどちらが重要？上記の説明から分析すると、RAMレイテンシとRAM速度の両方がRAMにとって重要であることが分かります。

DDR4 RAMはDDR3 RAMに比べて新しく、記憶密度と電力効率に優れていますが、CASレイテンシが高いです。調査によると、DDR3のCASレイテンシが9～10であることに対し、DDR4は少なくとも15のCASレイテンシを持っています。DDR4はクロック速度が高速で、DDR3よりも全体的なパフォーマンスに優れています。

お使いのRAMのDDRを知る方法

「自分が使っているRAMのDDRを知りたい」という方には、この記事がぴったりです。ガイドに従うだけで、RAMの種類を確認することができます。

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最後に

この記事を読んで、CASレイテンシRAMとは何か、そして関連情報についてお分かりいただけたかと思います。これを読み終えることで、CASレイテンシRAMの包括的な理解が得られたことでしょう。この記事がお役に立てれば幸いです。この記事は、これで以上です。